大阪，12月12日（阿格斯）—日本经济产业省12月12日表示，日本正计划在该国最北部的北海道县千岁建立一个研发中心。
该工厂将配备高数值孔径极紫外光刻设备億策略，用于先进的芯片生产。日本政府的目标是，从2029年4月至2030年3月的财政年度开始，通过促进器件制造企业、设备供应商、材料制造企业之间的合作，加强半导体产业。
经济产业省的一名官员表示，日本国家先进工业科学技术研究所将管理该设施，并收取使用费，以确保可持续运营。该中心将容纳荷兰半导体设备制造商ASML开发的下一代高数值孔径极紫外光刻系统，使先进半导体工艺和材料的研究成为可能。
该官员表示，该项目的成本尚不清楚，但经济产业省计划从2025-26年度的初始预算中拨出318亿日元（合2.04亿美元），并从该年度的补充资金中拨出988亿日元，目前议会正在讨论这一问题。
千岁正在成为北海道数字化转型的中心。日本政府支持的半导体企业Rapidus也将于2027-28财年下半年在千岁开始批量生产2纳米节点半导体。日本政府计划在未来两个财政年度向该公司提供1万亿日元的额外财政支持，以提高该国的芯片开发和生产能力。
由于半导体设施和数据中心消耗大量电力，电力安全正成为北海道的一个高度优先问题。12月10日，北海道政府批准重启912MW的Tomari 3号核反应堆，以确保脱碳能源，并确保稳定的电力供应，以应对不断增长的需求。运营商北海道电力公司（Hokkaido Electric Power）的目标是在完成加固工作后，尽早在2027年重启该反应堆。
据传输系统运营商Occto称億策略，2034- 2035年，日本的总电力需求可能达到894TWh，比2025-26年增长5.3%。这一增长主要源于数据中心和半导体制造业的扩张，预计其影响将超过人口减少、能效设备使用增加和节能力度加大带来的下行压力。北海道和东京预计将引领这一增长，未来十年需求将分别增长12%和10%。
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